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![超薄HfO2高K栅介质中电场依赖的时变击穿（TDDB）特性]( "超薄HfO2高K栅介质中电场依赖的时变击穿（TDDB）特性")
超薄HfO2高K栅介质中电场依赖的时变击穿（TDDB）特性
全部作者：杨红萨宁康晋锋第1作者单位：北京大学微电子所论文摘要：本文利用高温工艺制备了等效氧化层厚度（EOT）小于0.9纳米的超薄HfO2高K栅介质MOS器件，研究了其时变击穿（TDDB）特性。结果显示，其TDDB特性呈本征特性，在常电压应力...
