6H的文章见解

6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究

全部作者：林涛李佳李连碧李青民蒲红斌陈治明第1作者单位：西安理工大学电子工程系论文摘要：采用低压热壁化学气相沉积法，在6H-SiC衬底(001)面上生长了不同温度（1100℃~1250℃），不同GeH4流量比（13.8%~44.4%）的SiCGe薄膜样品，研究...